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LPCVD镀膜机

LPCVD HLP430-5A-02

LPCVD镀膜机

应用领域:

适用于半导体和光伏领域,针对于光伏领域TOPCon工艺电池,LPCVD设备可一站式完成隧穿氧化层/Poly层的制备,热氧和沉积Poly层两个工艺合二为一能够大幅提高产能,同时兼容i/d-Poly生长工艺。

产品特点

  • 01
    独特工艺气体进气设计,炉口扩散均匀进气+炉管内扩散均匀进气,确保良好的均匀性;
  • 02
    石英管可从炉尾侧拆装,大幅减小更换石英管对产能的影响;
  • 03
    悬臂桨双炉门方式,工艺时桨不需退出,缩短了工艺时间;
  • 04
    快速降温炉体:采用最新专利技术,使炉体温度可以快速降到所需温度,降温速率提升20%以上,明显提升炉管内温度均匀性。

基本参数

项目技术指标
成膜种类SiOx,i/d-Poly-Si
装片尺寸垂直装片方式:2880片/批(182mm),2320片/批(210mm)
膜厚均匀性SiOx均匀性:厚度1-3nm可调,精度0.1nm,用抛光片测试SiOx厚度
Poly均匀性:厚度50-200nm可调,精度1nm,用抛光片测试Poly厚度,片内:≤4%;片间≤4%;批间≤3%(>100nm时)
UP -TIME≥95%
工作温度范围400-750℃
温度控制6点控温,内外双模控制
升温方式自动斜率升温及快速恒温功能
降温方式最新专利技术,6温区分段控制主动降温炉体
恒温区精度及长度±1℃(550-700℃)
单点温度稳定度±1℃/6H
升温时间RT → 750℃ ≤ 45min
降温速率≥ 5℃/min
温度控制双模精确控制
系统极限真空度<3Pa
系统漏气率停泵关阀后压力升率<2Pa/min
压力控制方式快速调整全自动闭环
工艺控制方式工艺过程全自动控制, 多重安全连锁报警
人机交互界面LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能
MES/CCRM具有