产品类别
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LPCVD镀膜机
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适用于半导体和光伏领域,针对于光伏领域TOPCon工艺电池;LPCVD设备可一站式完成隧穿氧化层/Poly层的制备,热氧和沉积Poly层两个工艺合二为一能够大幅提高产能;同时兼容i/d-Poly生长工艺。查看详情 -
低压硼扩散
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TOPCon已成为N型电池产品化推广的主流技术路线之一,硼扩散主要用于电池制造中正面制作PN结,属于关键制程之一。查看详情 -
低压扩散/氧化退火炉
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低压扩散是目前被认为有效提高太阳能电池转换效率一种有效途径;提高了扩散源的分子自由程,解决了扩散深度和均匀性的问题;该设备主要用于晶体硅太阳电池制造中硅片的扩散掺杂与氧化退火工艺。查看详情 -
原子层沉积镀膜设备(ALD)
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自主研发设计大产能管式ALD沉积设备,提供超薄高质量介电膜SnOx、AIOx、NiOx、ZnOx以应用于高效太阳能电池的制造,并搭配自动化提供稳定可靠的设备运行。查看详情 -
PE-POLY
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适用于半导体和光伏领域,针对于光伏领域TOPCon/BC工艺电池,PE-POLY设备在电池背面制备一层超薄的隧 穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层,超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层,同时阻挡少子空穴复合,从而电子在多晶硅层横向传输被金属收集,最终极大地降低了金属接触复合电流。查看详情 -
PECVD
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在硅片表面沉积一层厚度约为75-140nm的减反射氮化硅膜(SixNy),同时利用在沉积过程中产生的活性H+离子,对硅片表面和内部进行钝化外理;在体现减少光反射的同时,也提高了硅片的少子寿命,最终直接体现在晶体硅电池的转换效率,主要用在PERC/TOPCon电池正背面氮化硅膜生长。查看详情 -
激光掺杂机
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对预先沉积在硅片表层上掺杂源(如磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG等)进行再处理;使膜层表面或者浅表面的杂质在硅片中二次扩散,形成PP+、NN+高低结。查看详情 -
激光开膜机
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PERC&IBC,适用于单、多晶硅电池;刻蚀PERC太阳电池的背钝化膜,形成欧姆接触浆料的窗口。查看详情 -
薄膜电池刻线机
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主要应用于薄膜电池P1/P2/P3激光刻划、P4激光绝缘清边以及激光BIPV透光;通过激光刻划将薄膜电池分成小块,同时使其串联,以此来减少电能的损失和增大输出电压。查看详情