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HALO系列“二合一”PECVD

HALO540-6A

HALO系列“二合一”PECVD

应用领域:

氧化铝PECVD设备是基于常规管式PECVD基础上,增加了氧化铝沉积工艺,对晶体硅电池背面进行高效钝化膜沉积的专用设备。在真空环境下直接完成了氧化铝到氮化硅膜的沉积。适用于高效晶体硅PERC电池工艺过程中生长致密的氧化铝等背钝化薄膜材料,具有多种复合膜连续生长的特点。

产品特点

  • 01 
    电源功率30KW双通道输出射频电源,为镀膜工艺提供更大调整空间,同时提升了设备装调维护效率,节省了客户的供水供电等成本。五管设备也可灵活配置双通道或单通道;
  • 02 
    快速降温炉体采用最新专利技术,使炉体温度可以快速降到所需温度,降温速率提升20%以上,提升炉管内温度均匀性,进而提升镀膜均匀性;
  • 03 
    辅助加热功能提升均匀性,大口径反应管必备配置;
  • 04 
    石墨舟电极技术电极面接触,尾电极炉管外可调,加大电极尺寸及优化电极材料,良好解决高频报警课题。

基本参数

项目技术指标
成膜种类AIO、SiN、SiON 、SiO

装片量

768片/批(182mm),616片/批(210mm),500片/批(230mm)

氧化铝膜厚均匀性

片内≤6%片间≤6%批间≤5%(182片)

氧化铝折射率

1.65(±0.05)

UP-TIME

≥98%

工作温度范围

100~600℃

温度控制

9点控温,内外双模控制

升温方式

自动斜率升温及快速恒温功能

降温方式

最新专利技术,9温区分段控制主动降温炉体

恒温区精度及长度

<±1°C/4h(500°C)


单点温度稳定度

6段

升温时间

RT→450℃≤45min

温度控制

双模精确控制

系统极限真空度

<3Pa

系统漏气率

停泵关阀后压力升率<1Pa/min

压力控制方式

快速调整全自动闭环

工艺控制方式

工艺过程全自动控制,多重安全连锁报警

人机交互界面LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能

MES/CCRM

具有